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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2001 [2]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
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Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector
期刊论文
: journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 300-302
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:231/10
  |  
提交时间:2010/04/13
Nitride materials
Photoconductivity and photovoltaics
Computer simulations
FILMS
Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751
Han GQ
;
Zeng YG
;
Liu Y
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Yang HT
收藏
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浏览/下载:61/1
  |  
提交时间:2010/03/08
diffusion
Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100)
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
ACTIVATED BONDING METHOD
ROOM-TEMPERATURE
EPITAXIAL OVERGROWTHS
SURFACE
CRYSTAL
GAAS
TECHNOLOGY
ENERGY
FILMS
Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:109/4
  |  
提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence
molecular beam epitaxy
InGaAs capping layer
1.35 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
EMISSION
LAYER
Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29
Luo XD
;
Xu ZY
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:102/4
  |  
提交时间:2010/08/12
GaNAs
band offset
PL
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
GANAS/GAAS
1.3-MU-M
GAASN
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