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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Charge trapping effect in HfO2-based high-k gate dielectric stacks after heavy ion irradiation: The role of oxygen vacancy 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 459, 页码: 143-147 作者:  Li, Zongzhen;  Liu, Tianqi;  Bi, Jinshun;  Yao, Huijun;  Zhang, Zhenxing 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/01/19 High-k HfO2  Heavy ion irradiation  Reliability  Charge trapping  Oxygen vacancy   6H-SiC blistering efficiency as a function of the hydrogen implantation fluence 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 466, 页码: 141-150 作者:  Daghbouj, N.;  Li, B. S.;  Karlik, M.;  Declemy, A. 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/03/27 Hydrogen implantation  6H-SiC  Smart-cut  Blistering  Strain   On-Demand Generation of Single Silicon Vacancy Defects in Silicon Carbide 期刊论文 ACS PHOTONICS, 2019, 卷号: 6, 期号: 7 作者:  Wang, Jun-Feng;  Li, Qiang;  Yan, Fei-Fei;  Liu, He;  Guo, Guo-Ping 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/05 silicon carbide  silicon vacancy  implantation  magnetic sensing  single photon sources   On-Demand Generation of Single Silicon Vacancy Defects in Silicon Carbide 期刊论文 ACS Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 7 作者:  Wang, Jun-Feng;  Li, Qiang;  Yan, Fei-Fei;  Liu, He;  Guo, Guo-Ping 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/05