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发表日期:2019
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85
90
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High-voltage vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode using fluorine ion implantation treatment
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5
作者:
Liu, Zirui
;
Wang, Jianfeng
;
Gu, Hong
;
Zhang, Yumin
;
Wang, Weifan
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2019/12/26
Resistive switching device based on high-mobility graphene and its switching mechanism
期刊论文
Journal of Physics: Conference Series, 2019, 卷号: 1168, 期号: 2
作者:
Zhang,Enliang
;
Zhou,Quan
;
Shen,Jun
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/04/18
Breakdown enhancement of diamond Schottky barrier diodes using boron implanted edge terminations
期刊论文
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2019, 卷号: 92, 页码: 146-149
作者:
Yu, Xinxin
;
Zhou, Jianjun
;
Wang, Yanfeng
;
Qiu, Feng
;
Kong, Yuechan
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/19
Diamond
Boron implant
Schottky diode
Edge termination
Effect of temperature on photoresponse properties of solar-blind Schottky barrier diode photodetector based on single crystal Ga2O3
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28
作者:
Yang, Chao
;
Liang, Hongwei
;
Zhang, Zhenzhong
;
Xia, Xiaochuan
;
Zhang, Heqiu
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/12/02
Ga2O3 single crystal
solar-blind
photodetector
high temperature
Experimental and Theoretical Studies of Mo/Au Schottky Contact on Mechanically Exfoliated β-GaO Thin Film.
期刊论文
Nanoscale research letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1
作者:
Hu Zhuangzhuang
;
Feng Qian
;
Feng Zhaoqing
;
Cai Yuncong
;
Shen Yixian
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/13
Breakdown
voltage
Carrier
transport
mechanism
Reverse
bias
Schottky
emission
β-Ga2O3
Schottky
diode
The investigation of temperature dependent electrical characteristics of Au/Ni/β-(InGa)2O3 Schottky diode
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 133
作者:
Shen, Yixian
;
Feng, Qian
;
Zhang, Ke
;
Hu, Zhuangzhuang
;
Yan, Guangshuo
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 451-454
作者:
Du, Lulu
;
Xin, Qian
;
Xu, Mingsheng
;
Liu, Yaxuan
;
Mu, Wenxiang
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/11
Ga2O3
Schottky barrier diodes (SBDs)
tin oxide (SnOx)
Influence of deep defects on electrical properties of Ni/4H-SiC Schottky diode
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: Vol.28 No.2, 页码: 027303
作者:
Jin-Lan Li
;
Yun Li
;
Ling Wang
;
Yue Xu
;
Feng Yan
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/17
High-performance quasi-vertical GaN Schottky diode with low turn-on voltage.
期刊论文
Superlattices & Microstructures, 2019, 卷号: Vol.125, 页码: 295-301
作者:
Bian, Zhao-Ke
;
Zhou, Hong
;
Xu, Sheng-Rui
;
Zhang, Tao
;
Dang, Kui
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/12/17
SCHOTTKY-barrier
diodes
*GALLIUM
nitride
*GALLIUM
compounds
*DISLOCATIONS
in
crystals
*CRYSTAL
defects
The investigation of temperature dependent electrical characteristics of Au/Ni/β-(InGa)2O3 Schottky diode
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 133
作者:
Shen Y.
;
Feng Q.
;
Zhang K.
;
Hu Z.
;
Yan G.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
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