×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
湖南大学 [2]
上海硅酸盐研究所 [2]
兰州理工大学 [1]
西安交通大学 [1]
长春光学精密机械与物... [1]
武汉大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2019 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
发表日期:2019
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Macroscopic Study on Current Transport Path in Front-Side Contacts of Crystalline Silicon Solar Cells
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019
作者:
Xiong, Shenghu
;
Yuan, Xiao
;
Yang, Yunxia
;
Zhang, Jiefeng
;
Tong, Hua
收藏
  |  
浏览/下载:270/0
  |  
提交时间:2019/12/31
contact-end voltages
contact resistivities
current transport paths
solar cell metallization
transfer lengths
Systematic investigation of electrical contact barriers between different electrode metals and layered GeSe
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 1
作者:
Li, Ranran
;
Xia, Wei
;
Guo, Yanfeng
;
Xue, Jiamin
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Leakage Current by Poole-Frenkel Emission in Pt Schottky Contacts on ((2)over-bar01) beta-Ga2O3 Grown by Edge-Defined Film-Fed Growth
期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 8, 页码: Q3054-Q3057
作者:
Zhou, Leidang
;
Lu, Xing
;
Chen, Liang
;
Ouyang, Xiaoping
;
Liu, Bo
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Controlling Injection Barriers for Ambipolar 2D Semiconductors via Quasi-van der Waals Contacts
期刊论文
ADVANCED SCIENCE, 2019, 卷号: 6, 期号: 11
作者:
Wang, Junjun
;
Wang, Feng
收藏
  |  
浏览/下载:57/0
  |  
提交时间:2019/12/05
ambipolar 2D semiconductors
Fermi level pinning effect
Schottky barrier
substrate influence
van der Waals heterostructures
van der Waals epitaxial growth of ultrathin metallic NiSe nanosheets on WSe as high performance contacts for WSe transistors
期刊论文
Nano Research, 2019, 卷号: Vol.12 No.7, 页码: 1683-1689
作者:
Bei Zhao
;
Weiqi Dang
;
Xiangdong Yang
;
Jia Li
;
Haihong Bao
收藏
  |  
浏览/下载:74/0
  |  
提交时间:2019/12/13
in situ growth
nonlayered NiSe nanosheets
Schottky barrier
metal-semiconductor junctions
chemical vapor deposition
van der Waals epitaxial growth of ultrathin metallic NiSe nanosheets on WSe2 as high performance contacts for WSe2 transistors
期刊论文
NANO RESEARCH, 2019, 卷号: Vol.12 No.7, 页码: 1683-1689
作者:
Zhao, B
;
Dang, WQ
;
Yang, XD
;
Li, J
;
Bao, HH
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/12/17
in situ growth
nonlayered NiSe nanosheets
Schottky barrier
metal-semiconductor junctions
chemical vapor deposition
Self-powered MSM deep-ultraviolet beta-Ga2O3 photodetector realized by an asymmetrical pair of Schottky contacts
期刊论文
2019, 卷号: 9, 页码: 1191-1199
作者:
Dong, Linpeng
;
Yu, Jiangang
;
Jia, Renxu
;
Hu, Jichao
;
Zhang, Yuming
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Ultraviolet photodetectors based on wide bandgap oxide semiconductor films
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 11
作者:
C.Q.Zhou
;
Q.Ai
;
X.Chen
;
X.H.Gao
;
K.W.Liu
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2020/08/24
Photodetector,ultraviolet,oxide semiconductor film,solar-blind photodetector,msm uv photodetector,thin-film,fast-response,optoelectronic properties,performance enhancement,electrical-properties,schottky contacts,crystal-structure,zno,nanowire,Physics
Electrical Properties of MoS2-Au Contact Based on the First Principle Study
会议论文
作者:
Wu, Gengshu
;
Lou, Haijun
;
Lin, Xinnan
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/11/15
Metal/molybdenum disulphide (MoS2) contacts
Schottky harrier height (SBH)
ab initio
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace