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低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者:  杨静;  赵德刚;  朱建军;  陈平;  刘宗顺
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SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者:  姬庆刚
收藏  |  浏览/下载:42/0  |  提交时间:2019/11/21
附着金属体染污绝缘表面局部电弧特性研究 期刊论文
中国电机工程学报, 2019, 期号: 11
作者:  王羽;  牟霖;  王万昆;  王维;  裴欢
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/05
附着金属体染污绝缘表面局部电弧特性研究 期刊论文
中国电机工程学报, 2019, 卷号: 39
作者:  王羽;  牟霖;  王万昆;  王维;  裴欢
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/05


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