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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stress-induced charge trapping and electrical properties of atomic-layer-deposited HfAlO/Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 期刊论文 2019, 卷号: 52 作者:  Zhang, Hongpeng;  Yuan, Lei;  Jia, Renxu;  Tang, Xiaoyan;  Hu, Jichao 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20 gallium oxide  HfAlO/Ga2O3 MOSCAP  constant-voltage stress  oxide traps   Mechanism of Buffer-Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT 会议论文 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01 作者:  Liu, Jing;  Huang, Zhongxiao 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20 AlGaN/GaN HEMT  Current Collapse  Traps