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| 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者: 魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁
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| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
作者: 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽
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| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利
专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
作者: 万文坚; 曹俊诚
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| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利
专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
作者: 万文坚; 曹俊诚
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| 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽
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| 半导体微腔激光器的制备方法和半导体 专利
专利号: CN109286131A, 申请日期: 2019-01-29, 公开日期: 2019-01-29
作者: 张昭宇; 刘秀; 方铉; 周陶杰; 项国洪
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