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	一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法
	万文坚; 曹俊诚
	2019-05-14
著作权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
专利号	CN105449521B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法
英文摘要	本发明提供一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法，至少包括：分子束外延在半绝缘GaAs衬底上依次生长下接触层、多量子阱有源区、上接触层；光刻、金属化和剥离在外延材料上制作上电极金属层；光刻胶覆盖上电极金属层刻蚀有源区形成脊形结构；光刻胶覆盖整个脊形结构刻蚀未覆盖的区域至下接触层；光刻、金属化和剥离在脊波导两侧制作下电极金属层；最后减薄衬底、解理芯片并封装完成。本发明中脊波导的刻蚀分两步进行，两步刻蚀形成两级向下的台阶，下电极金属层覆盖于第二刻蚀台阶及第二刻蚀侧壁实现和下接触层间良好的电学接触。该工艺通过增加一步光刻流程，降低了脊波导制作对刻蚀厚度精度及均匀性的要求，提高了器件工艺的成品率，降低了接触层引入的横向串联电阻。
公开日期	2019-05-14
申请日期	2014-09-10
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49388]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	万文坚,曹俊诚. 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法. CN105449521B. 2019-05-14.

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