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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Understanding Interlayer Coupling in TMD-hBN Heterostructure by Raman Spectroscopy 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 10, 页码: 4059-4067 作者:  Ding, L;  Ukhtary, MS;  Chubarov, M;  Choudhury, TH;  Zhang, F 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/12/25 2-D material  interference effect  low-frequency (LF) vibration  Raman enhancement   Understanding Interlayer Coupling in TMD-hBN Heterostructure by Raman Spectroscopy 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 10, 页码: 4059-4067 作者:  Ding, Li;  Ukhtary, Muhammad Shoufie;  Chubarov, Mikhail;  Choudhury, Tanushree H.;  Zhang, Fu 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2021/02/02 2-D material  interference effect  low-frequency (LF) vibration  Raman enhancement   Metal-semiconductor transition at a comparable resistivity level and positive magnetoresistance in mn3mn1?xpdxn thin films 期刊论文 Journal of physics d: applied physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 5 作者:  Xu,T;  Ji,G P;  Cao,Z X;  Ji,A L 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/09 Antiperovskite manganese nitride  Thin film  Metal-semiconductor transition  Positive magnetoresistance   Determination of interstitial oxygen atom position in U2N3+xOy by near edge structure study 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2018, 卷号: 504, 页码: 215-220 作者:  Jiang, AK;  Zhao, YW;  Long, Z;  Hu, Y;  Wang, XF 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/09/06 X-ray-absorption  Initial Oxidation Behaviors  Transition-metal Oxides  Uranium-dioxide  K-edge  Electronic-structure  Fine-structure  Spectroscopy  Nitride  Spectra