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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nano-structured WO3 Thin Films Deposited by Glancing Angle Magnetron Sputtering 期刊论文 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1303-1308 作者:  Wang Mei-Han;  Wen Jia-Xing;  Chen Yun;  Lei Hao 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/02 WO3 thin films  nano-structured  glancing angle  magnetron sputtering   Nano-structured WO3 Thin Films Deposited by Glancing Angle Magnetron Sputtering 期刊论文 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1303-1308 作者:  Wang Mei-Han;  Wen Jia-Xing;  Chen Yun;  Lei Hao 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/02/02 WO3 thin films  nano-structured  glancing angle  magnetron sputtering   Selection Role of Metal Oxides into Transition Metal Dichalcogenide Monolayers by a Direct Selenization Process 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 9645-9652 作者:  Lin, Wei-Sheng;  Medina, Henry;  Su, Teng-Yu;  Lee, Shao-Hsin;  Chen, Chia-Wei 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/11/15 transition metal dichalcogenide  metal oxides  tungsten oxide  tungsten diselenide  role of metal oxide selection  selenization   MoS2/WS2 Quantum Dots as High-Performance Lubricant Additive in Polyalkylene Glycol for Steel/Steel Contact at Elevated Temperature 期刊论文 Advanced Materials Interfaces, 2018, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 1700859(1-10) 作者:  Wu XH(吴新虎);  Lou WJ(娄文静);  Gong KL(宫奎亮);  Zhao GQ(赵改青);  Lou WJ(娄文静) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/01/11 Friction Reduction And Antiwear  High-temperature Lubricant  Lubricant Additive  Mos2  Ws2 Quantum Dots   Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors With Enhanced Performance 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 1018-1022 作者:  Wan, Da;  Liu, Xingqiang;  Abliz, Ablat;  Liu, Chuansheng;  Yang, Yanbing 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/21 tungsten (W)-doping  pulsed current-voltage (I-V)  solution processed  Indium zinc oxide (IZO)  thin-film transistors (TFTs)   Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors With Enhanced Performance 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 3 作者:  Wan, Da;  Liu, Xingqiang;  Abliz, Ablat;  Liu, Chuansheng;  Yang, Yanbing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Indium zinc oxide (IZO)  pulsed current-voltage (I-V)  solution processed  thin-film transistors (TFTs)  tungsten (W)-doping