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| Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility HEMT with Graphene 期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018
作者: Liu HG(刘洪刚) ; Jie Sun; Zhang GB(张国斌); Zhao M(赵妙); Chunli Yan
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| 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13
作者: 邵慧慧; 徐现刚; 开北超; 李沛旭; 郑兆河
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| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利
专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅
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| Gate leakage optimization of AlGaN/GaN HEMTs by N2 plasma surface treatment 会议论文
作者: Liang JX(梁竞贤); Wei K(魏珂); Luo WJ(罗卫军)
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| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
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| 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利号: CN105811243B, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军; 刘宗顺
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| Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire 期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者: Qi Y; Wang YY; Pang ZQ(庞振乾); Dou ZP; Wei TB
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| Comparison of 10 Mev Electron Beam Irradiation Effect on InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well 会议论文
作者: Bo Mei; Wang L(王磊); Qingxuan Li; Ningyang Liu; Ligang Song
收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2019/05/10 |
| Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63
作者: Hu, P. P.; Liu, J.; Zhang, S. X.; Maaz, K.; Zeng, J.
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| 具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制作方法 专利
申请日期: 2018-07-03,
作者: 张晓东,范亚明,蔡勇,张宝顺
收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2019/04/01 |
