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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/ GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures 期刊论文 Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 34, 页码: 345102 作者:  Huang Huolin;  Sun Zhonghao;  Cao Yaqing;  Li Feiyu;  Zhang Feng;  Wen Zhengxin;  Zhang Zifeng;  Liang Yung C.;  Hu Lizhong 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/15 Gate Leakage and Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer 期刊论文 NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2018, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 185-189 作者:  Meilan Hao ;   Quan Wang ;   Lijuan Jiang ;   Chun Feng ;   Changxi Chen ;   Cuimei Wang ;   Hongling Xiao ;   Fengqi Liu ;   Xiangang Xu ;   Xiaoliang Wang ;   Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/11/15 Liquid Metal Gated Tribotronic Transistors as an Electronic Gradienter for Angle Measurement 期刊论文 Advanced Electronic Materials, 2018, 卷号: 4, 期号: 9, 页码: 1800269 作者:  Tianzhao Bu;   Dongdong Jiang;   Xiang Yang;   Wenbo Liu;   Guoxu Liu;   Tong Guo;   Yaokun Pang;   Junqing Zhao;   Fengben Xi;   Chi Zhang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/11/12 Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 5699-5707 作者:  Juan Lu;   Zhi-Qiang Fan;   Jian Gong;   Jie-Zhi Chen;   Huhe ManduLa;   Yan-Yang Zhang;   Shen-Yuan Yang Xiang-Wei Jiang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/18 Suppressing the excess OFF-state current of short-channel InAs nanowire field-effect transistors by nanoscale partial-gate 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 41, 页码: 415203 作者:  Wenyuan Yang ;   Dong Pan ;   Rui Shen ;   Xinzhe Wang ;   Jianhua Zhao ;   Qing Chen 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/18 Improving the electrical properties of InAs nanowire field effect transistors by covering them with Y 2 O 3 /HfO 2 layers 期刊论文 NANOSCALE, 2018, 卷号: 10, 期号: 39, 页码: 18492–18501 作者:  Tong Li ;   Rui Shen;   Mei Sun;   Dong Pan;   Jingmin Zhang;   Jun Xu;   Jianhua Zhao ;   Qing Chen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/12 Improving Performances of In-Plane Transition-Metal Dichalcogenide Schottky Barrier Field-Effect Transistors 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 22, 页码: 19271-19277 作者:  Zhi-Qiang Fan;   Xiang-Wei Jiang;  Jiezhi Chen;   Jun-Wei Luo 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/11/12 Quantum Hall Effect in Electron-Doped Black Phosphorus Field- Effect Transistors 期刊论文 NANO LETTERS, 2018, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 6611-6616 作者:  Fangyuan Yang;   Zuocheng Zhang;   Nai Zhou Wang;   Guo Jun Ye;   Wenkai Lou;   Xiaoying Zhou;   Kenji Watanabe;   Takashi Taniguchi;   Kai Chang;   Xian Hui Chen;   Yuanbo Zhang 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/11/12