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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法 专利 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11 作者:  肖洪地;  曹得重;  杨小坤 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/04 Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars 期刊论文 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2018, 卷号: 203, 页码: 216-221 作者:  Xu, Xinglian;  Wang, Qiang;  Li, Changfu;  Ji, Ziwu;  Xu, Mingsheng 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/11 Localisation effect  Nanopillars LED  Phase-separation  Strain  relaxation   Fabrication and properties of high quality InGaN-based LEDs with highly reflective nanoporous GaN mirrors 期刊论文 PHOTONICS RESEARCH, 2018, 卷号: 6, 期号: 12, 页码: 1144-1150 作者:  Cao, Dezhong;  Yang, Xiaokun;  Shen, Luyang;  Zhao, Chongchong;  Luan, Caina 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11 Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7400-7404 作者:  Wei, Lin-Cheng;  Wang, Quan;  Feng, Chun;  Xiao, Hong-Ling;  Jiang, Li-Juan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 Enhancement-Mode  InAlN/GaN HEMT  Simulation