|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 会议论文
作者: Luo Q(罗庆) ; Xu XX(许晓欣); Gong TC(龚天成); Lv HB(吕杭炳); Dong DN(董大年)
  收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 会议论文
作者: Lv HB(吕杭炳); Xu XX(许晓欣); Yuan P(袁鹏); Dong DN(董大年); Gong TC(龚天成)
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| 130nm 1mb hfox rram chip using self adaptive peripheral circuit system techniques for wider work temperature range 会议论文
作者: Zhang F(张锋)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| Simulation of doping effect for HfO2-based RRAM based on first-principles calculations 会议论文
作者: Wei W(魏巍); Chuai XC(揣喜臣); Lu ND(卢年端); Wang Y(王艳); Li L(李泠)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法 专利
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者: 王国明; 龙世兵; 张美芸; 李阳; 许晓欣
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| 一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法 专利
专利号: CN201410541573.5, 申请日期: 2017-06-16, 公开日期: 2015-02-18
作者: 卢年端; 李泠; 刘明; 孙鹏霄
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| Resistive switching of Sn-doped In2O3/HfO2 core-shell nanowire: geometry architecture engineering for nonvolatile memory 期刊论文
NANOSCALE, 2017, 卷号: 9, 期号: 20, 页码: 6920-6928
作者: Huang, Chi-Hsin; Chang, Wen-Chih; Huang, Jian-Shiou; Lin, Shih-Ming; Chueh, Yu-Lun
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2019/11/15 |
| A cell-based clustering model for the reset statistics in RRAM 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017
作者: Sun H(孙浩); Zhang MY(张美芸); Li Y(李昱); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/07/13 |
| 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利
专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22
作者: 龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 王明
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| A larger nonvolatile bipolar resistive switching memory behaviour fabricated using eggshells 期刊论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 235-239
作者: Zhou, Guangdong; Sun, Bai; Zhou, Ankun; Wu, Bo; Huang, Haishen
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2017/04/17
|
