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	Simulation of doping effect for HfO2-based RRAM based on first-principles calculations
	Wei W(魏巍); Chuai XC(揣喜臣); Lu ND(卢年端); Wang Y(王艳); Li L(李泠); Liu M(刘明)
	2017-10-23
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18283]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Wei W,Chuai XC,Lu ND,et al. Simulation of doping effect for HfO2-based RRAM based on first-principles calculations[C]. 见:.

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