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Ultrafast all-optical imaging technique using low-temperature grown GaAs/AlxGa1-xAs multiple-quantum-well semiconductor 期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2017, 卷号: 381, 期号: 41, 页码: 3594-3598
作者:  Gao, Guilong;  Tian, Jinshou;  Wang, Tao;  He, Kai;  Zhang, Chunmin
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2017/12/25
Carrier effects on ferromagnetism of mnxge1-x quantum dots 期刊论文
Applied physics letters, 2017, 卷号: 111, 期号: 7, 页码: 5
作者:  Wang, Liming;  Liu, Tao;  Hu, Xiaofeng;  Wang, Shuguang;  Zhong, Zhenyang
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/04/23
Fabrication of transition metal selenides and their applications in energy storage 期刊论文
COORDINATION CHEMISTRY REVIEWS, 2017, 卷号: 332, 页码: 75-99
作者:  Lu, Tao;  Dong, Shanmu;  Zhang, Chuanjian;  Zhang, Lixue;  Cui, Guanglei
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/22
Advances in applications of positron annihilation spectroscopy to investigating semiconductor microstructures 期刊论文
Acta physica sinica, 2017, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 14
作者:  Cao Xing-Zhong;  Song Li-Gang;  Jin Shuo-Xue;  Zhang Ren-Gang;  Wang Bao-Yi
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2019/04/23
Construction of Two-Dimensional Chiral Networks through Atomic Bromine on Surfaces 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2017, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 326-331
作者:  Lu, Jianchen;  Bao, De-Liang;  Dong, Huanli;  Qian, Kai;  Zhang, Shuai
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/01/10
Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1629-1635
作者:  Wang FF;  Chen JX;  Xu ZC;  Zhou Y;  He L
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/20
Electrical and optical performances of InGaAs/GaAsSb superlattice short-wavelength infrared detectors 期刊论文
OPTICAL ENGINEERING, 2017, 卷号: 56, 期号: 5
作者:  Jin C;  Chen JX;  Xu QQ;  Yu CZ;  He L
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/11/20
Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes 会议论文
作者:  Jin C;  Wang FF;  Xu QQ;  Yu CZ;  Chen JX
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/11/20
Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 5
作者:  Chen XR;  Wu XY;  Yue L;  Zhu LQ;  Pan WW
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/20
Microstructure characterization of lattice defects induced by As ion implantation in HgCdTe epilayers 会议论文
作者:  Shi CZ;  Lin C;  Wei YF;  Chen L
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/20

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