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北京大学 [3]
半导体研究所 [3]
过程工程研究所 [2]
重庆大学 [1]
上海技术物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2017 [10]
学科主题
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
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共10条,第1-10条
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发表日期:2017
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85
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Manipulating III-V Nanowire Transistor Performance via Surface Decoration of Metal-Oxide Nanoparticles
期刊论文
ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2017, 卷号: 4, 期号: 12
作者:
Wang, Fengyun
;
Yip, SenPo
;
Dong, Guofa
;
Xiu, Fei
;
Song, Longfei
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/08/14
Enhancement Modes
Iii-v Nanowires
Metal-oxide Nanoparticles
Surface Decoration
Threshold Voltage
Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, < 111 >-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition
期刊论文
ACS NANO, 2017, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 4237-4246
作者:
Yang, Zai-xing
;
Liu, Lizhe
;
Yip, SenPo
;
Li, Dapan
;
Shen, Lifan
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/09/06
Gasb Nanowires
Growth Orientation
High Mobility
Vapor-solid-solid
Interface Plane Orientation
In-plane Lattice Mismatch
Midinfrared Photoluminescence up to 290 K Reveals Radiative Mechanisms and Substrate Doping-Type Effects of InAs Nanowires
期刊论文
NANO LETTERS, 2017, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1545-1551
作者:
Chen XR
;
Zhuang QD
;
Alradhi H
;
Jin ZM
;
Zhu LQ
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2018/11/20
INFRARED PHOTOREFLECTANCE
SUPERLATTICES
LUMINESCENCE
ALLOYS
PHOTOVOLTAICS
ACCUMULATION
TEMPERATURE
LINEWIDTHS
TRANSPORT
SURFACES
The effective excitonic g factors of Mn-doped InAs nanowires
期刊论文
2017, 卷号: 104, 页码: 205-214
作者:
Xiong, Wen[1]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/28
Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017
Wang, Xiaoye
;
Yang, Wenyuan
;
Wang, Baojun
;
Ji, Xianghai
;
Xu, Shengyong
;
Wang, Wei
;
Chen, Qing
;
Yang, Tao
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
Nanowires
Surfaces
Metalorganic chemical vapor deposition
Selective-area growth
Nanomaterials
InAs
III-V NANOWIRES
HIGHLY UNIFORM
TRANSISTORS
HETEROEPITAXY
DIRECTION
SILICON
ATOMS
GAAS
Extracting band structure characteristics of GaSb/InAs core-shell nanowires from thermoelectric properties
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2017
Vinas, Florinda
;
Xu, H. Q.
;
Leijnse, Martin
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/12/03
INAS NANOWIRES
GASB
HETEROSTRUCTURES
CONDUCTANCE
INAS/GASB
MODEL
FIELD
GAAS
Switching from Negative to Positive Photoconductivity toward Intrinsic Photoelectric Response in InAs Nanowire
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017
Han, Yuxiang
;
Fu, Mengqi
;
Tang, Zhiqiang
;
Zheng, Xiao
;
Ji, Xianghai
;
Wang, Xiaoye
;
Lin, Weijian
;
Yang, Tao
;
Chen, Qing
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
InAs nanowire
PPC
NPC
carrier scattering intrinsic photoelectric response
ELECTRONIC-PROPERTIES
ROOM-TEMPERATURE
PHOTODETECTORS
TRANSPORT
Foreign-catalyst-free growth of InAs/InSb axial heterostructure nanowires on Si (111) by molecular-beam epitaxy
期刊论文
Nanotechnology, 2017, 卷号: 28, 页码: 135704 (9pp)
作者:
Hyok So
;
Dong Pan
;
Lixia Li
;
Jianhua Zhao
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/07/02
GaAsSb/InAs core-shell nanowires grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 724, 页码: 659-665
作者:
Lixia Li
;
Dong Pan
;
Hyok So
;
Xiaolei Wang
;
Zhifeng Yu
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/07/02
Self-Catalyzed Growth of Vertical GaSb Nanowires on InAs Stems by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12, 页码: 1-8
作者:
Xianghai Ji
;
Xiaoguang Yang
;
Tao Yang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/05/23
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