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科研机构
兰州理工大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2017 [4]
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发表日期:2017
专题:兰州理工大学
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Investigation of pion-induced f(1)(1285) production off a nucleon target within an interpolating Reggeized approach
期刊论文
PHYSICAL REVIEW D, 2017, 卷号: 96, 期号: 3
作者:
Wang, Xiao-Yun
;
He, Jun
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/11/15
Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: from a Schottky diode to resistive switching memory
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 5, 期号: 25, 页码: 6319-6327
作者:
Su, Teng-Yu
;
Huang, Chi-Hsin
;
Shih, Yu-Chuan
;
Wang, Tsang-Hsuan
;
Medina, Henry
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2019/11/15
All-optical diode of subwavelength single slit with multi-pair groove structure based on SPPs-CDEW hybrid model
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2017, 卷号: 66, 期号: 11
作者:
Qi Yun-Ping
;
Nan Xiang-Hong
;
Bai Yu-Long
;
Wang Xiang-Xian
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/11/15
optical diode
surface plasmon polaritons
nonreciprocal transmission
extinction ratio
Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: From a Schottky diode to resistive switching memory
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 期号: 25, 页码: 6319-6327
作者:
Su, Teng-Yu
;
Huang, Chi-Hsin
;
Shih, Yu-Chuan
;
Wang, Tsang-Hsuan
;
Medina, Henry
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/11/14
Defects
Diodes
Rhenium compounds
RRAM
Schottky barrier diodes
Sputtering
Switching
Thin films
Titanium compounds
Conduction Mechanism
Defect distribution
Gradient distributions
Rectifying characteristics
Rectifying properties
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
Resistive switching behaviors
Resistive switching memory
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