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Method for manufacturing semiconductor device and the semiconductor device 专利
专利号: US9373939, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
作者:  MORI, HIROKI;  TANAHASHI, TOSHIYUKI
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Epitaxy of GaAs thin film with low defect density and smooth surface on Si substrate 期刊论文
2016, 2016
周旭亮; 潘教青; 梁仁荣; 王敬; 王圩; Zhou Xuliang; Pan Jiaoqing; Liang Renrong; Wang Jing; Wang Wei
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Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng
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VECSEL  MOVPE  InGaAs  
Effects of thickneb on optical characteristics and strain distribution of thin-film GaN light-emitting diodes transferred to Si substrates 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4
作者:  Li, H;  Shi, YD;  Feng, MX(冯美鑫);  Sun, Q(孙钱);  Lu, TC
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11
Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
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Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4
作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Yang, MM;  Su, XJ(苏旭军)
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AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436
作者:  Sun, MS(孙茂松);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科)
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Stress analysis of transferable crack-free gallium nitride microrods grown on graphene/SiC substrate 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 185
作者:  Qi, Lin;  Xu, Yu;  Li, Zongyao;  Zhao, En;  Yang, Song
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Investigation of low-temperature cathodoluminescence mechanism of Er-doped GaN thick films by ion implantation 期刊论文
CHINESE OPTICS LETTERS, 2016, 卷号: 14, 期号: 5
作者:  Wang, XD;  Mo, YJ;  Zeng, XH(曾雄辉);  Mao, HM;  Wang, JF(王建峰)
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The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6
作者:  Jahn, U;  Musolino, M;  Lahnemann, J;  Dogan, P;  Garrido, SF
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