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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：期刊论文    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Exploration of vertical scaling limit in carbon nanotube transistors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016 Qiu, Chenguang; Zhang, Zhiyong; Yang, Yingjun; Xiao, Mengmeng; Ding, Li; Peng, Lian-Mao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ATOMIC LAYER DEPOSITION  HIGH-KAPPA DIELECTRICS  GATE DIELECTRICS  HIGH-PERFORMANCE  GRAPHENE  FILMS  MOSFET  OXIDE   A High-Voltage (> 600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016 Hu, Yue; Wang, Hao; Du, Caixia; Ma, Miaomiao; Chan, Mansun; He, Jin; Wang, Gaofeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 Breakdown voltage (BV)  lateral double-diffused MOS (LDMOS)  N-island (NIS)  partial silicon-on-insulator (PSOI)  step-doped drift (SDD) region  BURIED P LAYER  POWER LDMOS  IMPROVEMENT  DEVICES  TRENCH  FILM  TRANSISTOR   High Performance Metal-Gate/High-kappa GaN MOSFET With Good Reliability for Both Logic and Power Applications 期刊论文 IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2016 Yi, Shih-Han; Ruan, Dun-Bao; Di, Shaoyan; Liu, Xiaoyan; Wu, Yung Hsien; Chin, Albert 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/12/04 GaN  MOSFET  high-kappa  reliability  interface  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  INSULATOR