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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：会议论文    专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Research of Optimal Parameters in MOSFET Structure based on Wide Band Gap Semiconductor Material GaN 会议论文 28th Chinese Control and Decision Conference, 2016-01-01 作者:  Shen, Hongyuan[1];  Yang, Jie[2];  Yuan, Zhenyu[3];  Ye, Ning[4];  Di, Jia[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/26 GaN  Optimal Parameters  High-Temperature Environment