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| 一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法 专利
申请日期: 2016-11-23,
作者: 任宇; 杨旭; 张帆; 王来利
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| 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 杨谦; 韩林超; 申华军 ; 白云; 汤益丹
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210083156.1, 申请日期: 2016-08-10, 公开日期: 2013-10-23
作者: 徐秋霞; 殷华湘; 马小龙; 陈大鹏
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| 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 专利
专利号: CN201110263766.5, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2013-03-20
作者: 赵超; 罗军
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| 一种煤矿井下光纤测温中半导体激光器的温控系统 专利
专利号: CN205159790U, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13
作者: 黄友锐; 凌六一; 韩涛; 徐善永; 宋得名
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9312187, 申请日期: 2016-04-12, 公开日期: 2013-10-03
作者: 殷华湘; 马小龙; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210067446.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-09-18
作者: 赵超; 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法 专利
专利号: CN201310339890.4, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2013-11-27
作者: 李莹; 毕津顺; 李书振; 罗家俊; 韩郑生
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| 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 专利
专利号: CN201310559750.8, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-12
作者: 白云; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
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| 半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201210135261.5, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2013-11-06
作者: 董立军; 陈大鹏
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