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其他 [1]
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2015 [4]
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New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
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提交时间:2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
其他
2015-01-01
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/04
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Evolution of the SrTiO3-MoO3 Interface Electronic Structure: An in Situ Photoelectron Spectroscopy Study
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 卷号: 7, 期号: 21, 页码: 11309—11314
作者:
Du, YM
;
Peng, HY
;
Mao, HY
;
Jin, KX
;
Wang, H
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2015/12/09
SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS
TRANSITION-METAL OXIDES
THIN-FILMS
MOLYBDENUM TRIOXIDE
SURFACE
LAYER
RESISTANCE
GAS
MEMORY
STATES
Graphene-GaN Schottky diodes
期刊论文
NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338
作者:
Kim Seongjun
;
Seo Tae Hoon
;
Kim Myung Jong
;
Song Keun Man
;
Suh EunKyung
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2021/12/13
LIGHT-EMITTING-DIODES
N-TYPE GAN
THERMIONIC-FIELD-EMISSION
SENSITIZED SOLAR-CELLS
CONTACT RESISTANCE
BARRIER HEIGHT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TRANSPARENT ELECTRODES
RAMAN-SPECTROSCOPY
METAL CONTACTS
graphene
GaN
Schottky diode
Schottky barrier height
Fermi level pinning
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