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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文 工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者:  刘丽 收藏  |  浏览/下载：213/0  |  提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅  KFZ加固  单粒子翻转  静态随机存储器  silcon-on-insulator(SOI)  radiation hardness  sigle event upset(SEU)  static random access memory(SRAM)   基于重离子加速器的SOI SRAM 器件单粒子翻转实验研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  古松 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 Influence of edge effects on single event upset susceptibility of SOI SRAMs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 342, 页码: 286-291 作者:  Xi, Kai;  Liu, Gang;  Hou, Mingdong;  Geng, Chao;  Bi, Jinshun 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/16 Single event upset  Edge effects  Sensitive region  CREME-MC simulation