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专利 [3]
会议论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [36]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2015
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低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法
专利
专利号: CN201110264987.4, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-03-27
作者:
罗军
;
赵超
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/09/18
Low frequency noise characterization of GeOx passivated germanium MOSFETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
作者:
Zhao C(赵超)
;
Fang W(方雯)
;
Luo J(罗军)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/05/31
热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法
专利
专利号: CN201110074604.7, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2012-09-26
作者:
罗军
;
赵超
;
钟汇才
;
李俊峰
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/09/18
基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究
学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
刘丽
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浏览/下载:214/0
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提交时间:2015/09/02
绝缘体上硅
KFZ加固
单粒子翻转
静态随机存储器
silcon-on-insulator(SOI)
radiation hardness
sigle event upset(SEU)
static random access memory(SRAM)
Ultrathin homogeneous ni(al) germanosilicide layer formation on strained sige with al/ni multi-layers
期刊论文
Microelectronic engineering, 2015, 卷号: 137, 页码: 88-91
作者:
Liu, Linjie
;
Jin, Lei
;
Knoll, Lars
;
Wirths, Stephan
;
Buca, Dan
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/05/10
Germanosilicide
Al mediation
Strained sige
Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
作者:
Zhao YY(赵玉印)
;
He XB(贺晓彬)
;
Gao JF(高建峰)
;
Xu Q(徐强)
;
Li JJ(李俊杰)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2016/05/31
改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法
专利
专利号: CN201110074395.6, 申请日期: 2015-01-14, 公开日期: 2012-09-26
作者:
李俊峰
;
钟汇才
;
赵超
;
罗军
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/03/17
Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1-6
作者:
Liu, Y (Liu Yuan)
;
Chen, HB (Chen Hai-Bo)
;
Liu, YR (Liu Yu-Rong)
;
Wang, X (Wang Xin)
;
En, YF (En Yun-Fei)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/01/25
SilicOn On Insulator
Ion implantatIon
Ionizing Radiation
Low Frequency Noise
Influences of Remote Coulomb and Interface-Roughness Scatterings on Electron Mobility of InGaAs nMOSFET with High-k Stacked Gate Dielectric
期刊论文
IEEE Transactions on Nanotechnology, 2015, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 854-861
作者:
Wang, Li-Sheng*
;
Xu, Jing-Ping
;
Liu, Lu
;
Huang, Yuan
;
Lu, Han-Han
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/04
InGaAs MOSFETs
effective electron mobility
high-k dielectric
remote Coulomb scattering
remote interface-roughness scattering
Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultrathin Body pMOSFETs
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2015
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Zeng, Lang
;
Wei, Kangliang
;
Du, Gang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
Hole mobility
InSb
modeling
MOSFETs
scattering
self-consistent
six-band k . p
ultrathin body (UTB)
V COMPOUND SEMICONDUCTORS
INVERSION-LAYER MOBILITY
DEFORMATION POTENTIALS
SURFACE ORIENTATION
QUANTUM-WELLS
ON-INSULATOR
BAND
THICKNESS
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