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Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods 专利
专利号: US20150221832A1, 申请日期: 2015-08-06, 公开日期: 2015-08-06
作者:  LOCHTEFELD, ANTHONY;  MARCHAND, HUGUES
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Laser based display method and system 专利
专利号: US9013638, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2015-04-21
作者:  RARING, JAMES W.;  RUDY, PAUL
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Anodic stripping voltammetry of silver(I) using unmodified GaN film and nanostructure electrodes 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 356, 页码: 1058-1063
Liu, Q. Y.; Liu, B. D.; Yuan, F.; Zhuang, H.; Wang, C.; Shi, D.; Xu, Y. K.; Jiang, X.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/04/21
GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 3
作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K(付凯)
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2015/12/31
Electrodeposition of hierarchical Ag on nanoporous GaN and its surface enhanced Raman scattering application 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2015, 卷号: 153, 页码: 4
作者:  Zhao, Y(赵宇);  Qin, SJ(秦双娇);  Peng, F(彭飞);  Pan, GB（潘革波）
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31
Influencing factors of GaN growth uniformity through orthogonal test analysis 期刊论文
Applied Thermal Engineering, 2015, 卷号: 91, 页码: 53-61
作者:  Zhang, Zhi;  Fang, Haisheng*;  Yan, Han;  Jiang, Zhimin;  Zheng, Jiang
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/04
A novel MOCVD reactor for growth of high-quality GaN-related LED layers 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2015, 卷号: 415, 页码: 72-77
作者:  Hu, Shaolin;  Liu, Sheng;  Zhang, Zhi;  Yan, Han;  Gan, Zhiyin*
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/04
An Optimized Layout with Low Parasitic Inductances for GaN HEMTs Based DC-DC Converter 会议论文
作者:  Wang Kangping;  Ma Huan;  Li Hongchang;  Guo Yixuan;  Yang Xu
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Wafer-Level Artificial Photosynthesis for CO 2 Reduction into CH 4 and CO Using GaN Nanowires(Article) 期刊论文
ACS Catalysis, 2015, 卷号: Vol.5 No.9, 页码: 5342-5348
作者:  Alotaibi, B.a;  Fan, S.a;  Wang, D.b,c;  Ye, J.b,d;  Mi, Z.a
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/21
Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8
作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K
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