QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2015    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Defect capping method for reduced defect density epitaxial articles 专利 专利号: US9218954, 申请日期: 2015-12-22, 公开日期: 2015-12-22 作者:  SINGH, RAJIV K.;  ARJUNAN, ARUL CHAKKARAVARTHI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 专利 专利号: US9111863, 申请日期: 2015-08-18, 公开日期: 2014-06-12 作者:  李俊峰;  闫江;  赵超;  李春龙 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/10/26 Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods 专利 专利号: US20150221832A1, 申请日期: 2015-08-06, 公开日期: 2015-08-06 作者:  LOCHTEFELD, ANTHONY;  MARCHAND, HUGUES 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 Light-emitting diode and method for preparing the same 专利 专利号: US9087933, 申请日期: 2015-07-21, 公开日期: 2015-07-21 作者:  XU, JIN;  WANG, JIANGBO;  LIU, RONG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/24 Vertical cavity surface emitting laser device 专利 专利号: US9014225, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2015-04-21 作者:  PADULLAPARTHI, BABU DAYAL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Ridge semiconductor laser and method for manufacturing a ridge semiconductor laser 专利 专利号: US9001859, 申请日期: 2015-04-07, 公开日期: 2015-04-07 作者:  KOZEN, ATSUO;  OTE, YASUYOSHI;  ASAOKA, JUN-ICHI;  HIRAI, KENJI;  YOKOYAMA, HIROSHI 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor lasers and etched-facet integrated devices having H-shaped windows 专利 专利号: US8982921, 申请日期: 2015-03-17, 公开日期: 2015-03-17 作者:  FANG, RUIYU;  ROSSI, GIAMMARCO;  STANO, ALESSANDRO;  MORELLO, GIULIANA;  GOTTA, PAOLA-IDA 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods 专利 专利号: US8952413, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10 作者:  ODNOBLYUDOV, VLADIMIR;  SCHELLHAMMER, SCOTT D.;  FREI, JEREMY S. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Removal of boron impurity in polysilicon by electrochemically etching of polysilicon film to form porous silicon, performing stabilization treatment, introducing into electron beam melting furnace, and setting vacuum chamber degree. 专利 申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-03-18 作者:  GUO S LI J QIN S TAN Y SHI S YOU X 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/09 Surfactant formulation for etching polycrystalline silicon-containingliquid, comprises diol compounds and amine compounds. 专利 申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-03-11 作者:  HOU J QIAO W XIONG Z 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/09