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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法 期刊论文 中国科学信息科学, 2014 冯慧; 安霞; 杨东; 谭斐; 黄良喜; 武唯康; 张兴; 黄如 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/11 自热效应  热载流子注入效应  热电阻  寿命预测  SOI   Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2014 Tan, Fei; Huang, Ru; An, Xia; Wu, Weikang; Feng, Hui; Huang, Liangxi; Fan, Jiewen; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 quasi-SOI device  single event effect (SEE)  total ionizing dose (TID)  worst case  TECHNOLOGIES  TRANSISTOR  CANDIDATE  MOSFET  UPSET   高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2014 李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13 正偏置温度不稳定性(PBTI)  高介电常数栅介质  绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)  退化  应力诱导漏电流(SILC)  PBTI  high-κ gate dielectrics  SOI MOSFET  degradation  SILC