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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors 期刊论文 optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 1806-1814 Huo, WJ; Liang, S; Zhang, C; Tan, SY; Han, LS; Xie, HY; Zhu, HL; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/05/11 Layer-dependent electrical and optoelectronic responses of ReSe2 nanosheet transistors 期刊论文 nanoscale, 2014, 卷号: 6, 期号: 13, 页码: 7226-7231 Yang, SX; Tongay, S; Li, Y; Yue, Q; Xia, JB; Li, SS; Li, JB; Wei, SH 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2015/05/11 Novel and Enhanced Optoelectronic Performances of Multilayer MoS2-WS2 Heterostructure Transistors 期刊论文 advanced functional materials, 2014, 卷号: 24, 期号: 44, 页码: 7025-7031 Huo, Nengjie; Kang, Jun; Wei, Zhongming; Li, Shu-Shen; Li, Jingbo; Wei, Su-Huai 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/03/20 Photoresponsive and Gas Sensing Field-Effect Transistors based on Multilayer WS2 Nanoflakes 期刊论文 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 5209 Huo, NJ; Yang, SX; Wei, ZM; Li, SS; Xia, JB; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/02 An efficient atomistic quantum mechanical simulation on InAs band-to-band tunneling field-effect transistors 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 12, 页码: 123504 Wang, Z; Jiang, XW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/04/02 Performance limits of tunnel transistors based on mono-layer transition-metal dichalcogenides 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 19, 页码: 193510 Jiang, XW; Li, SS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/04/02 Electrical characteristics of field-effect transistors based on indium arsenide nanowire thinner than 10nm 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 14, 页码: 143101 Fu, MQ; Pan, D; Yang, YJ; Shi, TW; Zhang, ZY; Zhao, JH; Xu, HQ; Chen, Q 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/20 Suspended InAsnanowire gate-all-around field-effect transistors 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: 113106 Li, Q; Huang, SY; Pan, D; Wang, JY; Zhao, JH; Xu, HQ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/03/20 Current-voltage spectroscopy of dopant-induced quantum-dots in heavily n-doped junctionless nanowire transistors 期刊论文 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 13, 页码: 133509 Wang, H; Han, WH; Ma, LH; Li, XM; Hong, WT; Yang, FH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/02 Theoretical model of the polarization Coulomb field scattering in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 4, 页码: 044507 Luan, CB; Lin, ZJ; Lv, YJ; Zhao, JT; Wang, YT; Chen, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/19