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专利 [1]
发表日期
2013 [31]
学科主题
光电子学 [3]
Physics [1]
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共31条,第1-10条
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发表日期:2013
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80
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Ohmic contact to n-type Ge with compositional Ti nitride
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.08.028, 2013
Wu, H.D.
;
Huang, W.
;
Lu, W.F.
;
Tang, R.F.
;
Li, C.
;
Lai, H.K.
;
Chen, S.Y.
;
Xue, C.L.
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/07/22
Electric contactors
Ohmic contacts
Semiconductor metal boundaries
Titanium nitride
Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 卷号: 28, 期号: 10
作者:
Zhang, BS(张宝顺)
;
Yang, H(杨辉)
;
Zhang, SM(张书明)
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2014/01/13
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析
期刊论文
2013
严光明
;
李成
;
汤梦饶
;
黄诗浩
;
王尘
;
卢卫芳
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/05/17
金属与Ge接触性质
NiGe
比接触电阻率
metal/Ge contact
NiGe
specific contact resistance
合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响
期刊论文
2013
林旺
;
阮育娇
;
陈松岩
;
李成
;
赖虹凯
;
汤丁亮
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/05/17
Al/n+-Ge接触
离子注入
退火
圆形传输线模型(CTLM)
接触电阻率
Al/n+-Ge contact
ion implantation
annealing
circular transmission line model(CTLM)
contact resistivity
Fe、Cu掺杂及多重掺杂单晶硅材料制备及性能研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:
周步康
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2013/06/03
单晶硅
深能级杂质
单掺杂
多重掺杂
电学特性
热敏特性
Chemical vapor deposition preparation of nanostructured ZnO particles and their gas-sensing properties
期刊论文
JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, 2013, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 1580
作者:
Zhang, Dangwen
;
Wu, Xiaofeng
;
Han, Ning
;
Chen, Yunfa
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/05/05
Zinc oxide
Chemical vapor deposition (CVD)
Hierarchical-structure
Sensors
Nitride light emitting device of using substrate decomposition prevention layer and manufacturing method of the same
专利
专利号: US8404505, 申请日期: 2013-03-26, 公开日期: 2013-03-26
作者:
SONG, JUNE O
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
Electrical transport through a scanning tunnelling microscope tip and a heavily doped Si contact
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013
作者:
Xieqiu Zhang
;
Kedong Wang
;
Wenjin Chen
;
M. M. T. Loy
;
J. N. Wang
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/08/27
co-60 gamma-radiation effects on the ideality factor of alxga1-xn p-i-n solar-blind detector with high content of aluminum
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: -
作者:
Zhang Xiao-Fu
;
Li Yu-Dong
;
Guo Qi
;
Luo Mu-Chang
;
He Cheng-Fa
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/11/07
high Al content AlxGa1-xN
gamma-ray radiation effects
ideality factor
Ohmic contact
Selective nano-emitter fabricated by silver assisted chemical etch-back for multicrystalline solar cells
期刊论文
RSC ADVANCES, 2013, 卷号: 3, 期号: 35, 页码: 15483
Wang, Y
;
Liu, YP
;
Lai, T
;
Liang, HL
;
Li, ZL
;
Mei, ZX
;
Zhang, FM
;
Kuznetsov, A
;
Du, XL
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/01/17
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