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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析 期刊论文 2013 严光明; 李成; 汤梦饶; 黄诗浩; 王尘; 卢卫芳; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17 金属与Ge接触性质  NiGe  比接触电阻率  metal/Ge contact  NiGe  specific contact resistance   合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响 期刊论文 2013 林旺; 阮育娇; 陈松岩; 李成; 赖虹凯; 汤丁亮 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/17 Al/n+-Ge接触  离子注入  退火  圆形传输线模型(CTLM)  接触电阻率  Al/n+-Ge contact  ion implantation  annealing  circular transmission line model(CTLM)  contact resistivity   GOI衬底制备和Al/n+-Ge欧姆接触研究 学位论文 2013, 2013 林旺 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/01/13 Al/n+-Ge接触  绝缘体上的锗  抛光  Al/n+-Ge contacts  germanium-on-insulator (GOI)  polishing   Low specific contact resistivity to n-Ge and well-behaved Ge n +/p diode achieved by implantation and excimer laser annealing 期刊论文 http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.106501, 2013 Wang, Chen; Li, Cheng; Huang, Shihao; Lu, Weifang; Yan, Guangming; Lin, Guangyang; Wei, Jiangbin; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/07/22 Annealing  Excimer lasers  Ion implantation  Ohmic contacts  Phosphorus   Properties and mechanism analysis of metal/Ge ohmic contact 期刊论文 http://dx.doi.org/10.7498/aps.62.167304, 2013 Yan Guang-Ming; Li Cheng; Tang Meng-Rao; Huang Shi-Hao; Wang Chen; Lu Wei-Fang; Huang Wei; Lai Hong-Kai; Chen Song-Yan; 李成; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22 SCHOTTKY-BARRIER  HEIGHT   Low Specific Contact Resistivity to n-Ge and Well-Behaved Ge n(+)/p Diode Achieved by Implantation and Excimer Laser Annealing 期刊论文 http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.106501, 2013 Wang, Chen; Li, Cheng; Huang, Shihao; Lu, Weifang; Yan, Guangming; Lin, Guangyang; Wei, Jiangbin; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成; 黄巍; 陈松岩; 赖虹凯 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 ION-IMPLANTATION  GERMANIUM  ACTIVATION  JUNCTIONS  AMORPHIZATION  TAN