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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement-Mode InAlN/GaN MISHEMT with Low Gate Leakage Current 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 6 作者:  Zhang BS(张宝顺);  Cai Y(蔡勇);  Ceng CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/01/22 enhancement-mode  InAlN/GaN HEMT  threshold voltage  thermal oxidation  gate leakage   Complex transport behavior accompanying domain switching in La0.1Bi0.9FeO3 sandwiched capacitors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 15 Gao, RL; Chen, YS; Sun, JR; Zhao, YG; Li, JB; Shen, BG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 BIFEO3 THIN-FILMS  FERROELECTRIC BIFEO3  EXCHANGE BIAS  POLARIZATION  MULTIFERROICS   GaN-based p–i–n X-ray detection 期刊论文 Phys. Status Solidi A, 2012, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 204-206 作者:  Kai Fu(付凯) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2013/01/22 GaN  p–i–n X-ray detection  photoconductive  photovoltaic   Vanadium bound exciton luminescence in 6H-SiC 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 15 Wang, SC; Wang, G; Liu, Y; Jiang, LB; Wang, WJ; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/23 SILICON-CARBIDE  SINGLE SPINS  PHOTOLUMINESCENCE  DEFECT  4H  RADIATION  BAND  VACANCIES   Intrinsic spin Hall effect in monolayers of group-VI dichalcogenides: A first-principles study 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2012, 卷号: 86, 期号: 16 Feng, WX; Yao, YG; Zhu, WG; Zhou, JJ; Yao, W; Xiao, D 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/18 ELECTRONIC-PROPERTIES  VALLEY POLARIZATION  WANNIER FUNCTIONS  MOS2   AlGaN/GaN HEMTs with Thermal Oxidation Treatment for Microwave Power Applications 其他 2012-01-01 Meng, Di; Liu, Shenghou; Lin, Shuxun; Wen, Cheng P.; Wang, Jinyan; Hao, Yilong; Wu, Wengang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 HETEROSTRUCTURE  TRANSISTOR