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内容类型
期刊论文 [14]
专利 [4]
其他 [1]
发表日期
2012 [19]
学科主题
光电子学 [2]
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共19条,第1-10条
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发表日期:2012
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Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting devices
专利
专利号: US8309377, 申请日期: 2012-11-13, 公开日期: 2012-11-13
作者:
YUAN, SHU
;
KANG, XUEJUN
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing
期刊论文
Chin. Phys. B, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 096801-1-096801-4
常少辉
;
刘学超
;
黄维
;
熊泽
;
杨建华
;
施尔畏
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/07/19
Flip-chip light emitting diodes and method of manufacturing thereof
专利
专利号: US8202751, 申请日期: 2012-06-19, 公开日期: 2012-06-19
作者:
SEONG, TAE-YEON
;
SONG, JUNE-O
;
KIM, KYOUNG-KOOK
;
HONG, WOONG-KI
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/24
Ni基碳纳米管场发射阴极的性能研究
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=clkg201104028&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQ2011, 2012, 2012
潘金艳
;
袁占生
;
卫雅芬
;
刘卫华
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/06/19
碳纳米管(CNT)
场发射
均匀性
稳定性
Carbon nanotube(CNT)
Field emission
Uniformity
Stability
TB383.1
Improvement of GaN light-emitting diodes with surface-treated Al-doped ZnO transparent Ohmic contacts by holographic photonic crystal
期刊论文
2012
Yang, W. F.
;
Liu, Z. G.
;
Xie, Y. N.
;
Cai, J. F.
;
Liu, S.
;
Gong, H.
;
Wu, Z. Y.
;
吴正云
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/03/28
EXTRACTION ENHANCEMENT
EFFICIENCY
OUTPUT
Ohmic contact to n-AlGaN through bonding state transition at TiAl interface
期刊论文
2012
Zhang, Binbin
;
Lin, Wei
;
Li, Shuping
;
Zheng, Yu
;
Yang, Xu
;
Cai, Duanjun
;
Kang, Junyong
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/03/25
GAN
HETEROJUNCTION
MECHANISM
Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices
专利
专利号: US20120080688A1, 申请日期: 2012-04-05, 公开日期: 2012-04-05
作者:
RAFFETTO, MARK
;
BHARATHAN, JAYESH
;
HABERERN, KEVIN
;
BERGMANN, MICHAEL
;
EMERSON, DAVID
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/30
Nickel ohmic contacts of high-concentration P-implanted 4H-SiC
期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 118-121
作者:
Liu CJ(刘春娟)
;
Liu S(刘肃)
;
Feng JJ(冯晶晶)
;
Wu R(吴蓉)
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/06/24
ohmic contacts
phosphorus ion implantation
contact resistance
Hall concentration
silicon carbide
Electrical current distribution in light emitting devices
专利
专利号: US8124994, 申请日期: 2012-02-28, 公开日期: 2012-02-28
作者:
YUAN, SHU
;
LIN, SHIMING
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/24
Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11
Luan, CB
;
Lin, ZJ
;
Lv, YJ
;
Meng, LG
;
Yu, YX
;
Cao, ZF
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
MOBILITY
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