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Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting devices 专利
专利号: US8309377, 申请日期: 2012-11-13, 公开日期: 2012-11-13
作者:  YUAN, SHU;  KANG, XUEJUN
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Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing 期刊论文
Chin. Phys. B, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 096801-1-096801-4
常少辉; 刘学超; 黄维; 熊泽; 杨建华; 施尔畏
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Flip-chip light emitting diodes and method of manufacturing thereof 专利
专利号: US8202751, 申请日期: 2012-06-19, 公开日期: 2012-06-19
作者:  SEONG, TAE-YEON;  SONG, JUNE-O;  KIM, KYOUNG-KOOK;  HONG, WOONG-KI
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Ni基碳纳米管场发射阴极的性能研究 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=clkg201104028&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQ2011, 2012, 2012
潘金艳; 袁占生; 卫雅芬; 刘卫华
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Improvement of GaN light-emitting diodes with surface-treated Al-doped ZnO transparent Ohmic contacts by holographic photonic crystal 期刊论文
2012
Yang, W. F.; Liu, Z. G.; Xie, Y. N.; Cai, J. F.; Liu, S.; Gong, H.; Wu, Z. Y.; 吴正云
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2013/03/28
Ohmic contact to n-AlGaN through bonding state transition at TiAl interface 期刊论文
2012
Zhang, Binbin; Lin, Wei; Li, Shuping; Zheng, Yu; Yang, Xu; Cai, Duanjun; Kang, Junyong; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2013/03/25
Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices 专利
专利号: US20120080688A1, 申请日期: 2012-04-05, 公开日期: 2012-04-05
作者:  RAFFETTO, MARK;  BHARATHAN, JAYESH;  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL;  EMERSON, DAVID
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/30
Nickel ohmic contacts of high-concentration P-implanted 4H-SiC 期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 118-121
作者:  Liu CJ(刘春娟);  Liu S(刘肃);  Feng JJ(冯晶晶);  Wu R(吴蓉)
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Electrical current distribution in light emitting devices 专利
专利号: US8124994, 申请日期: 2012-02-28, 公开日期: 2012-02-28
作者:  YUAN, SHU;  LIN, SHIMING
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Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11
Luan, CB; Lin, ZJ; Lv, YJ; Meng, LG; Yu, YX; Cao, ZF; Chen, H; Wang, ZG
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