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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2012, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 298-301 Chen Y (Chen Yan); Deng AH (Deng Ai-Hong); Tang B (Tang Bao); Wang GW (Wang Guo-Wei); Xu YQ (Xu Ying-Qiang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/02 Defect properties of CuCrO2: A density functional theory calculation 期刊论文 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 087105 Fang ZJ (Fang Zhi-Jie); Zhu JZ (Zhu Ji-Zhen); Zhou J (Zhou Jiang); Mo M (Mo Man) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/02 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110 Le, L.C; Zhao, D.G; Jiang, D.S; Zhang, S.M; Yang, H; Li, L; Wu, L.L; Chen, P; Liu, Z.S; Li, Z.C; Fan, Y.M; Zhu, J.J; Wang, H 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/19 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110 Le LC (Le, L. C.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Yang H (Yang, H.); Li L (Li, L.); Wu LL (Wu, L. L.); Chen P (Chen, P.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Li ZC (Li, Z. C.); Fan YM (Fan, Y. M.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/03/20 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110 Le, L.C; Zhao, D.G; Jiang, D.S; Zhang, S.M; Yang, H; Li, L; Wu, L.L; Chen, P; Liu, Z.S; Li, Z.C; Fan, Y.M; Zhu, J.J; Wang, H 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/19