QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of interface bond type on the structure of inas/gasb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Li Li-Gong;  Liu Shu-Man;  Luo Shuai;  Yang Tao;  Wang Li-Jun 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Yang, Qiumin;  Li, Yiyang;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Cadmium compounds  Semiconducting ii-vi materials   Growth and annealing of zinc-blende cdse thin films on gaas (001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043 作者:  Yang, Qiumin;  Zhao, Jie;  Guan, Min;  Liu, Chao;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Cdse  Molecular beam epitaxy  Reflection high energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy   Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5 作者:  Fu, D.;  Zhang, R.;  Liu, B.;  Xie, Z. L.;  Xiu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1) 期刊论文 Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, CuiMei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mocvd  Si(111)  Aln   Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5 作者:  Wang Wei;  Su Shao-Jian;  Zheng Jun;  Zhang Guang-Ze;  Zuo Yu-Hua 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn alloys  Strained  Strain-relaxed  Molecular beam epitaxy   Ordered inas nanodots formed on the patterned gaas substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113 作者:  Jin, Lan;  Zhou, Huiying;  Qu, Shengchun;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/05/12 Patterned substrate  Ion implantation  Ordered nanodots  Anodic aluminum oxide   Single neutral excitons confined in asbr3 in situ etched in gaas quantum rings 期刊论文 Journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 作者:  Ding, F.;  Li, B.;  Akopian, N.;  Perinetti, U.;  Chen, Y. H. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum ring  Quantum dot  Neutral exciton  Aharonov bohm effect  Gate controlled  Selective etching   Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 作者:  Wang, Wei;  Su, Shaojian;  Zheng, Jun;  Zhang, Guangze;  Xue, Chunlai 收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2019/05/12 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport