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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：66/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   硅基太阳能电池前电极材料的制备及相关性能研究 学位论文 博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 王超 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2011/12/28 太阳能电池  前电极  ITO  复合膜   周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜 期刊论文 功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194 作者:  曲胜春;  刘孔 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/07/17 Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON