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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  INALAS   Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501 作者:  Zhou GY;  Zhang HY;  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：68/4  |  提交时间：2011/07/05 INAS ISLANDS  MU-M  ESCAPE  GAAS  GAAS(100)  SUBSTRATE   The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914 作者:  Jin P;  Ye XL;  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：50/4  |  提交时间：2011/07/05 SPECTROSCOPY   Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 3, 页码: article no.32103 Li GD; Jiang C; Zhu QS; Sakaki H 收藏  |  浏览/下载：60/9  |  提交时间：2011/07/05 HETEROJUNCTION  MOBILITY  SCATTERING  PHYSICS  FIELD   Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/15 LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  TUNING RANGE  NM  EMISSION  SPECTRUM  SPECTROSCOPY