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| Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者: Xu B
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| MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者: Jia CH; Song HP
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| Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者: Yang T; Yang XG; Wang KF
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| GaAs基长波长InAs量子点分子束外延生长 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
朱岩
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2011/06/01
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| Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84345
Kong JX; Zhu QS; Xu B; Wang ZG
收藏 | 浏览/下载：39/3 | 提交时间：2011/07/05 |
| Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者: Xu B; Zhou GY; Ye XL; Zhang HY
收藏 | 浏览/下载：53/5 | 提交时间：2011/07/05
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| Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者: Duan RF
收藏 | 浏览/下载：80/4 | 提交时间：2011/07/05
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| Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320
作者: Yang T
收藏 | 浏览/下载：53/5 | 提交时间：2011/07/05
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| The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者: Song HP; Shi K; Sang L; Wei HY
收藏 | 浏览/下载：58/3 | 提交时间：2011/07/05
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| Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者: Zhou GY; Zhang HY; Xu B; Ye XL
收藏 | 浏览/下载：68/4 | 提交时间：2011/07/05
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