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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：72/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   Far-field improvement of quantum cascade lasers through high-reflection coatings 期刊论文 electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 127 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2011/07/05 OPERATION  TEMPERATURE   Anomalous linear photogalvanic effect observed in a GaN-based two-dimensional electron gas 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 75341 作者:  Jiang CY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/09/14 PHOTOMAGNETISM  METALS   Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104 作者:  Yu JL 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2011/07/05 Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Feng C; Jiang LJ; Yin HB; Chen H 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  INVERSION DOMAINS  HIGH-TEMPERATURE  GAN  SI(111)  ALN  SAPPHIRE