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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EMISSION  LASERS  WAVELENGTH  EXCITONS  ENERGY   Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：71/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage 期刊论文 carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124 Zhu XF; Li LX; Huang SL; Wang ZG; Lu GQ; Sun CH; Wang LZ 收藏  |  浏览/下载：25/3  |  提交时间：2011/07/05 IRRADIATION  NANOCAVITY   Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者:  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2011/07/05 Atom force microscopy  Nanostructures  Molecular-beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting gallium arsenide  QUANTUM-DOTS  ANODIC ALUMINA  ARRAYS  PLACEMENT  INAS   Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   Structures and optical characteristics of InGaN quantum dots grown by MBE 期刊论文 xiyou jinshu cailiao yu gongcheng/rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032 Wang, Baozhu; Yan, Cuiying; Wang, Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/06/14 Atomic force microscopy  Gallium nitride  Molecular beam epitaxy  Optical materials  Optical properties  Reflection high energy electron diffraction  Sapphire   Microstructure and electrical properties of Y(NO(3))(3)center dot 6H(2)O-doped ZnO-Bi(2)O(3)-based varistor ceramics 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 38, 页码: 9312-9317 Xu D; Cheng XN; Yuan HM; Yang J; Lin YH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 ZNO-BASED VARISTORS  ZNO-PR6O11-BASED VARISTORS  SINTERING TEMPERATURE  DIELECTRIC-PROPERTIES  BI2O3 VAPORIZATION  RELEVANT PARAMETER  COOLING RATE  STABILITY  VOLTAGE  OXIDE