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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705 Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/02/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  INTERFACE ROUGHNESS  QUANTUM-WELLS  MOBILITY  HETEROJUNCTION  TRANSPORT  MODEL   Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463 Li, TF; Chen, YH; Lei, W; Zhou, XL; Luo, S; Hu, YZ; Wang, LJ; Yang, T; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 RAMAN-SCATTERING  SEMICONDUCTING NANOWIRES  OPTOELECTRONIC DEVICES  PHOSPHIDE NANOWIRES  OPTICAL PHONONS  SILICON  CRYSTALS  SPECTRA   Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703 作者:  Zhang Y;  Li YB 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING  LOW-POWER APPLICATIONS  TRANSPORT-PROPERTIES  INTERFACE ROUGHNESS  INAS/ALSB HEMTS  HETEROSTRUCTURES  INAS  TRANSISTORS  GAS  LAYERS   Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage 期刊论文 carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124 Zhu XF; Li LX; Huang SL; Wang ZG; Lu GQ; Sun CH; Wang LZ 收藏  |  浏览/下载：25/3  |  提交时间：2011/07/05 IRRADIATION  NANOCAVITY   Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105 Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：58/2  |  提交时间：2011/07/05 AlGaN/GaN heterostructures  thermal stressing  polarization  self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  POLARIZATION  STABILITY  CHARGE  GAN   Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.123512 Lv YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Luan CB; Cao ZF; Chen H; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：67/9  |  提交时间：2011/07/05 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  INTERFACIAL LAYER  MOBILITY   Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 3, 页码: article no.32103 Li GD; Jiang C; Zhu QS; Sakaki H 收藏  |  浏览/下载：60/9  |  提交时间：2011/07/05 HETEROJUNCTION  MOBILITY  SCATTERING  PHYSICS  FIELD   Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：75/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/07 GaN  Ferromagnetic  Implantation  Annealing   Quantitative surface enhanced Raman scattering detection based on the "sandwich" structure substrate 期刊论文 spectrochimica acta part a-molecular and biomolecular spectroscopy, 2011, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: 625-630 作者:  Tang AW 收藏  |  浏览/下载：83/5  |  提交时间：2011/07/15 SILVER NANORODS  HOT-SPOTS  ACTIVE SUBSTRATE  NANOWIRE ARRAYS  SPECTROSCOPY  SERS  NANOPARTICLES  SENSITIVITY  REDUCTION  STABILITY