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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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  |  
提交时间:2011/07/05
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