QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays 期刊论文 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935 Liu, JQ; Huang, J; Gong, XJ; Wang, JF; Xu, K; Qiu, YX; Cai, DM; Zhou, TF; Ren, GQ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  WELL NANOROD ARRAYS  ULTRAVIOLET-LIGHT  GROWTH  NANOGENERATORS  DISLOCATIONS  BRIGHTNESS  LAYERS   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：55/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1