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内容类型
期刊论文 [16]
专利 [3]
学位论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [23]
学科主题
半导体材料 [3]
物理化学 [2]
红外探测材料与器件 [1]
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共23条,第1-10条
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发表日期:2010
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Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of inas/gaas quantum dot with high and low areal density
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: 6
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Jia, C. H.
;
Ye, X. L.
;
Xu, Bo
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Evaluation of thermal radiation dependent performance of gasb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
Solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
作者:
Wang, Y.
;
Chen, N. F.
;
Zhang, X. W.
;
Huang, T. M.
;
Yin, Z. G.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
Optimization of vi/ii pressure ratio in znte growth on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
;
Li, Yanbo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Znte
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Semiconductor laser device
专利
专利号: US7778298, 申请日期: 2010-08-17, 公开日期: 2010-08-17
作者:
FUJIMOTO, TSUYOSHI
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2020/01/18
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12, 2010-10-15
王鹏飞
;
吴东海
;
吴兵朋
;
熊永华
;
詹 峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
牛智川
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2010/08/12
液晶延迟器在极化电子碰撞试验中的应用
会议论文
中国光学学会2006年学术大会论文摘要集, Abstracts of 2006' General Meeting of Chinese Optical Society, 中国光学学会2006年学术大会, 2006' General Meeting of Chinese Optical Society, 中国广东广州, CNKI, 中国光学学会
郝亮
;
赵彦杰
;
庞文宁
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浏览/下载:1/0
浓盐酸对GaAs(100)表面刻蚀机理的研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院, 2010
宋真
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2011/07/11
浓盐酸对GaAs(100)表面刻蚀机理的研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院, 2010
宋真
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/07/11
50kV半绝缘GaAs光导开关
期刊论文
2010, 2010
袁建强
;
刘宏伟
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刘金锋
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李洪涛
;
谢卫平
;
王新新
;
江伟华
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Yuan Jianqiang
;
Liu Hongwei
;
Liu Jinfeng
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Li Hongtao
;
Xie Weiping
;
Wang Xinxin
;
Jiang Weihua
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平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
包西昌
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/09/11
平面型gan基紫外探测器
器件制备
离子注入
电容特性
负微分电容
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