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上海微系统与信息技术... [2]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [3]
学科主题
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Electroche... [1]
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发表日期:2010
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Characterization and analysis of silicon on insulator fabricated by separation by implanted oxygen layer transfer
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 163-168
Wei,X
;
Wu,AM
;
Wang,X
;
Li,XY
;
Ye,F
;
Chen,J
;
Chen,M
;
Zhang,B
;
Li,CL
;
Zhang,M
;
Wang,X
收藏
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
PSEUDO-MOS TRANSISTOR
BURIED OXIDE LAYERS
THERMAL-OXIDATION
WAFERS
SOI
FILM
SOICMOS
Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H81-H85
Wei, X
;
Wu, AM
;
Wang, X
;
Li, XY
;
Ye, F
;
Chen, J
;
Chen, M
;
Zhang, B
;
Lin, CL
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
BURIED-OXIDE
THERMAL-OXIDATION
FILM
SOI
WAFERS
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Zhang Enxia
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2011/08/16
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