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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 作者:  Song, H. P.;  Zheng, G. L.;  Yang, A. L.;  Guo, Y.;  Wei, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno  In2o3  Mocvd  Photoelectron spectroscopies   Inn layers grown by mocvd on srtio3 substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377 作者:  Jia, C. H.;  Chen, Y. H.;  Zhou, X. L.;  Liu, G. H.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Srtio3  Growth behavior  Mocvd  Inn   The role of zinc dopant and the temperature effect on the controlled growth of inn nanorods in metal-organic chemical vapor deposition system 期刊论文 Crystengcomm, 2010, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 3936-3941 作者:  Song, Huaping;  Guo, Yan;  Yang, Anli;  Wei, Hongyuan;  Xu, Xiaoqing 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 InN layers grown by MOCVD on SrTiO3 substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 312 (3): jan 15 2010, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377 作者:  Jia CH;  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：116/26  |  提交时间：2010/04/13 TiO3  Growth behavior  MOCVD  InN 了CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  PRESSURE