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浏览/检索结果: 共79条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of inas/gaas quantum dot with high and low areal density 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: 6 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Jia, C. H.;  Ye, X. L.;  Xu, Bo 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Preparation and optical performance of freestanding gan thick films 期刊论文 Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Hu Qiang;  Wei Tongbo;  Duan Ruifei;  Yang Jiankun;  Huo Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Freestanding thick films  Stress release  Photoluminescence   Structure and properties of inas/alas quantum dots for broadband emission 期刊论文 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Meng, X. Q.;  Jin, P.;  Liang, Z. M.;  Liu, F. Q.;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in ingan/gan single quantum wells with various cap layer thicknesses 期刊论文 Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 5 作者:  Hu Xiao-Long;  Zhang Jiang-Yong;  Shang Jing-Zhi;  Liu Wen-Jie;  Zhang Bao-Ping 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Exciton-longitudinal-optical-phonon  Ingan/gan single quantum well  Gan cap layer  Huang-rhys factor   Optical properties of inn rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141 作者:  Sun, Yuanping;  Cho, Yong-Hoon;  Dai, Zhenhong;  Wang, Weitian;  Wang, Hui 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Different growth mechanisms of bimodal in as/gaas qds 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311 作者:  Zhou, G. Y.;  Chen, Y. H.;  Zhou, X. L.;  Xu, B.;  Ye, X. L. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Blue-shift photoluminescence from porous inalas 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Jiang, Y. C.;  Liu, F. Q.;  Wang, L. J.;  Yin, W.;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers 期刊论文 Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 作者:  Hao, Ruiting;  Deng, Shukang;  Shen, Lanxian;  Yang, Peizhi;  Tu, Jielei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/aluminum antimonide  Superlattices  Molecular beam epitaxy   The two- to three-dimensional growth transition of inas/gaas epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: 4 作者:  Zhou, G. Y.;  Chen, Y. H.;  Tang, C. G.;  Liang, L. Y.;  Jin, P. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots 会议论文 6th international conference on nanoscience and technology, beijing, peoples r china, jun 04-06, 2007 Zhan, F; Huang, SS; Niu, ZC; Ni, HQ; Xiong, YH; Fang, ZD; Zhou, HY; Luo, Y 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/09 Quantum Dots