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科研机构
半导体研究所 [43]
内容类型
期刊论文 [43]
发表日期
2010 [43]
学科主题
半导体材料 [14]
光电子学 [7]
半导体物理 [6]
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发表日期:2010
专题:半导体研究所
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95
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Homogeneous epitaxial growth of n,n '-di(n-butyl)quinacridone thin films on ag(110)
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7162-7166
作者:
Lin, Feng
;
Fang, Zheyu
;
Qu, Shengchun
;
Huang, Shan
;
Song, Wentao
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提交时间:2019/05/12
Qa4c
Molecular beam epitaxy (mbe)
Leed
Commensurate and incommensurate
Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers
期刊论文
Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
作者:
Hao, Ruiting
;
Deng, Shukang
;
Shen, Lanxian
;
Yang, Peizhi
;
Tu, Jielei
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Gallium arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/aluminum antimonide
Superlattices
Molecular beam epitaxy
Charge separation in wurtzite/zinc-blende heterojunction gan nanowires
期刊论文
Chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332
作者:
Wang, Zhiguo
;
Li, Jingbo
;
Gao, Fei
;
Weber, William J.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Ab initio
Charge separation
Heterojunctions
Nanowires
Catalytic growth of large-scale gan nanowires
期刊论文
Journal of materials engineering and performance, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 1054-1057
作者:
Chen, Jinhua
;
Xue, Chengshan
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Ammoniating
Magnetron sputtering
Nanowires
Semiconductor material
Structure and formation mechanism of sn-doped zno nanoneedles
期刊论文
Acta physico-chimica sinica, 2010, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 2840-2844
作者:
Wang Jie
;
Zhuang Hui-Zhao
;
Xue Cheng-Shan
;
Li Jun-Lin
;
Xu Peng
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructure
Zno
Sn-doping
Sputtering
Optical property
Formation mechanism
Optimization of vi/ii pressure ratio in znte growth on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
;
Li, Yanbo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Znte
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Characterization of zno nanorods grown on si substrates coated with nicl2
期刊论文
Crystal research and technology, 2010, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 988-992
作者:
Wang, Jie
;
Zhuang, Huizhao
;
Li, Junlin
;
Xu, Peng
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconducting material
Zno
Chemical vapor deposition
Growth mechanism
Optical properties
Substrate temperature dependence of znte epilayers grown on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Li, Yanbo
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials
Fabrication of gan nanowires on pd-coated sapphire substrates by magnetron sputtering technique
期刊论文
Materials characterization, 2010, 卷号: 61, 期号: 4, 页码: 381-385
作者:
Guo, Y. F.
;
Xue, C. S.
;
Liu, W. J.
;
Sun, H. B.
;
Cao, Y. P.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Nanowires
Semiconductor
Sputtering
Photoluminescence
Fabrication of mn-doped gan nanobars
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Xue Cheng-Shan
;
Liu Wen-Jun
;
Shi Feng
;
Zhuang Hui-Zhao
;
Guo Yong-Fu
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
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