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科研机构
半导体研究所 [19]
内容类型
期刊论文 [18]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [19]
学科主题
光电子学 [3]
半导体材料 [3]
半导体化学 [1]
半导体器件 [1]
半导体物理 [1]
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共19条,第1-10条
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发表日期:2010
专题:半导体研究所
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Ferromagnetic properties in fe-doped zns thin films
期刊论文
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075
作者:
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
;
Yang, Guandong
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Fe-doped zns
First principles calculation
Ferromagnetic properties
High curie temperature
Behavior of pentacene initial nucleation on various dielectrics and its effect on carrier transport in organic field-effect transistor
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7103-7107
作者:
Qi, Qiong
;
Yu, Aifang
;
Wang, Liangmin
;
Jiang, Chao
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Organic field-effect transistor
Dielectric surface energy
Initial nucleation
Mobility
Grain size
Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers
会议论文
6th international conference on nanoscience and technology, beijing, peoples r china, jun 04-06, 2007
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
InAs Quantum Dots
Optimization of vi/ii pressure ratio in znte growth on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
;
Li, Yanbo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Znte
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Effects of gan capping on the structural and the optical properties of inn nanostructures grown by using mocvd
期刊论文
Journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
作者:
Sun, Yuanping
;
Sun, Yuanping
;
Cho, Yong-Hoon
;
Wang, Hui
;
Wang, Lili
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Inn
Burstein-moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
Structural and magnetic properties of gan:sm:eu films fabricated by co-implantation method
期刊论文
Materials letters, 2010, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 1031-1033
作者:
Sun, Lili
;
Liu, Chao
;
Li, Jianming
;
Wang, Junxi
;
Yan, Fawang
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Magnetic materials
Semiconductors
Ion implantation
Substrate temperature dependence of znte epilayers grown on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Li, Yanbo
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials
Fabrication and characterization of au/sio2 nanocomposite films
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3305-3308
作者:
Zhuo, Boshi
;
Li, Yuguo
;
Teng, Shuyun
;
Yang, Aichun
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Au/sio2
Nanocomposite film
Sputtering
Photoluminescence
Impact of thickness of gan buffer layer on properties of aln/gan distributed bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
作者:
Wu ChaoMin
;
Shang JingZhi
;
Zhang BaoPing
;
Zhang JiangYong
;
Yu JinZhong
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Mocvd
Dbr
High-reflectivity
Nitride
Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Cui LJ (Cui Lijie)
;
Li YB (Li Yanbo)
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浏览/下载:158/17
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提交时间:2010/07/05
ZnTe
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE ZNTE
MBE GROWTH
100 GAAS
ZNSE
LAYERS
SURFACE
TEMPERATURE
SUBSTRATE
EPILAYERS
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