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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width 期刊论文 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946 Zhang, YG(张永刚）; Li, C; Gu, Y; Wang, K; Li, HSBY; Shao, XM; Fang, JX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 GAS-SOURCE MBE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Horizontally aligned single-walled carbon nanotubes can bridge wide trenches and climb high steps 期刊论文 CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL, 2010, 卷号: 157, 期号: 2-3, 页码: 590-597 Rao, FB; Zhou, YX; Li, TE; Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2011/12/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  R-PLANE SAPPHIRE  GROWTH-MECHANISM  LARGE-SCALE  LONG  TRANSISTORS  ARRAYS  CATALYSTS  SENSORS   InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 77304-77304 Gu, Y; Wang, K; Li, YY; Li, C; Zhang, YG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/11/03 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PERFORMANCE  GASB  MBE   Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 173-176 Li, C; Zhang, YG(张永刚）; Wang, K; Gu, Y; Li, HSBY; Li, YY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHOTODIODES  WAVELENGTH  BUFFER  LAYERS  MOCVD  CAP